一、沉金板與鍍金板的區(qū)別二、為什么要用鍍金板隨著IC 的集成度越來越高，IC腳也越多越密。而垂直噴錫工藝很難將成細(xì)的焊盤吹平整，這就給SMT的貼裝帶來了難度;另外噴錫板的待用壽命(shelf life)很短。而鍍金板正好解決了這些問題： 1對于表面貼裝工藝，尤其對于0603及0402 超小型表貼，因為焊盤平整度直接關(guān)系到錫膏印制工序的質(zhì)量，對后面的再流焊接質(zhì)量起到?jīng)Q定性影響，所以，整板鍍金在高密度和超小型表貼工藝中時常見到。2在試制階段，受元件采購等因素的影響往往不是板子來了馬上就焊，而是經(jīng)常要等上幾個星期甚至個把月才用，鍍金板的待用壽命(shelf life)比鉛錫合金長很多倍所以大家都樂意采用。再說鍍金PCB在度樣階段的成本與鉛錫合金板相比相差無幾。但隨著布線越來越密，線寬、間距已經(jīng)到了3-4MIL。因此帶來了金絲短路的問題：隨著信號的頻率越來越高，因趨膚效應(yīng)造成信號在多鍍層中傳輸?shù)那闆r對信號質(zhì)量的影響越明顯：趨膚效應(yīng)是指：高頻的交流電，電流將趨向集中在導(dǎo)線的表面流動。根據(jù)計算，趨膚深度與頻率有關(guān)：鍍金板的其它缺點在沉金板與鍍金板的區(qū)別表中已列出。

安徽廠家PCB打樣一、快速確定PCB外形設(shè)計PCB先要確定電路板的外形，通常就是在禁止布線層畫出電氣的布線范圍廠家PCB打樣。除非有特殊要求，一般電路板的形狀都為矩形，長寬比一般為3：2或者4：3較為理想。在畫之前可以任意畫出兩條橫線和兩條豎線，然后利用“放置工具條”里的“設(shè)置原點”工具將某一條線段的端點設(shè)為原點即坐標(biāo)為(0，0)，之后雙擊每一條線段，對其起點和終點的坐標(biāo)值進(jìn)行相應(yīng)的更改，使4條線段首尾相接，形成一個封閉的矩形框，電路板的外型確定也就完成了。如果在畫圖的過程中需要調(diào)整電路板的大小，只要修改每條線段的相應(yīng)坐標(biāo)值即可。從成本、敷銅線長度、抗噪聲能力考慮，電路板尺寸越小越好，但是板尺寸太小，則散熱不良，且相鄰的導(dǎo)線容易引起干擾。不過，當(dāng)電路板的尺寸大于200mm×150mm時，應(yīng)該考慮電路板的機(jī)械強(qiáng)度，適當(dāng)加裝固定孔，以便起到支撐的作用。二、元件布局開始布局之前首先要通過網(wǎng)絡(luò)表載入元器件，這個過程中經(jīng)常會遇到網(wǎng)絡(luò)表無法完全載入的錯誤，主要可歸為兩類：一類是找不到元件，解決方法是確認(rèn)原理圖中已定義元件的封裝形式，并確認(rèn)已添加相應(yīng)的PCB元件庫，若仍找不到元件就要自己造一個元件封裝了;另一類是丟失引腳，最常見的就是二極管、三極管的引腳丟失，這是由于原理圖中的引腳一般是字母A、K、E、B、C，而PCB元件的引腳則是數(shù)字1、2、3，解決方法就是更改原理圖的定義，或者更改PCB元件的定義使其一致即可。有經(jīng)驗的設(shè)計者一般都會根據(jù)實際元件的封裝外形建立一個自己的PCB元件庫，使用方便而且不易出錯。進(jìn)行布局時，必須要遵循一些基本規(guī)則：(1)特殊元件特殊考慮高頻元件之間要盡量靠近，連線越短越好;具有高電位差的元件之間距離盡量加大;重量大的元器件應(yīng)該有支架固定;發(fā)熱的元件應(yīng)遠(yuǎn)離熱敏元件并加裝相應(yīng)的散熱片或置于板外;電位器、可調(diào)電感線圈、可變電容、微動開關(guān)等可調(diào)元件的布局應(yīng)該考慮整機(jī)的結(jié)構(gòu)要求，以方便調(diào)節(jié)為準(zhǔn)?？傊?，一些特殊的元器件在布局時要從元件本身的特性、機(jī)箱的結(jié)構(gòu)、維修調(diào)試的方便性等多方面綜合考慮，以保證做出一塊穩(wěn)定、好用的PCB板。

PCB布局規(guī)則1、在通常情況下，所有的元件均應(yīng)布置在電路板的同一面上，只有頂層元件過密時，才能將一些高度有限并且發(fā)熱量小的器件，如貼片電阻、貼片電容、貼片IC等放在底層。2、在保證電氣性能的前提下，元件應(yīng)放置在柵格上且相互平行或垂直排列，以求整齊、美觀，在一般情況下不允許元件重疊;元件排列要緊湊，元件在整個版面上應(yīng)分布均勻、疏密一致。3、電路板上不同組件相臨焊盤圖形之間的最小間距應(yīng)在1MM以上。4、離電路板邊緣一般不小于2MM.電路板的最佳形狀為矩形，長寬比為3:2或4:3.電路板面尺大于200MM乘150MM時，應(yīng)考慮電路板所能承受的機(jī)械強(qiáng)度。PCB設(shè)計設(shè)置技巧PCB設(shè)計在不同階段需要進(jìn)行不同的各點設(shè)置，在布局階段可以采用大格點進(jìn)行器件布局;對于IC、非定位接插件等大器件，可以選用50~100mil的格點精度進(jìn)行布局，而對于電阻電容和電感等無源小器件，可采用25mil的格點進(jìn)行布局。大格點的精度有利于器件的對齊和布局的美觀。PCB設(shè)計布局技巧在PCB的布局設(shè)計中要分析電路板的單元，依據(jù)起功能進(jìn)行布局設(shè)計，對電路的全部元器件進(jìn)行布局時，要符合以下原則：1、按照電路的流程安排各個功能電路單元的位置，使布局便于信號流通，并使信號盡可能保持一致的方向。2、以每個功能單元的核心元器件為中心，圍繞他來進(jìn)行布局。元器件應(yīng)均勻、整體、緊湊的排列在PCB上，盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接。3、在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數(shù)。一般電路應(yīng)盡可能使元器件并行排列，這樣不但美觀，而且裝旱容易，易于批量生產(chǎn)。

1.系統(tǒng)布局是否保證布線的合理或者最優(yōu)，是否能保證布線的可靠進(jìn)行，是否能保證電路工作的可靠性。在布局的時候需要對信號的走向以及電源和地線網(wǎng)絡(luò)有整體的了解和規(guī)劃。2.印制板尺寸是否與加工圖紙尺寸相符，能否符合PCB制造工藝要求、有無行為標(biāo)記。這一點需要特別注意，不少PCB板的電路布局和布線都設(shè)計得很漂亮、合理，但是疏忽了定位接插件的精確定位，導(dǎo)致設(shè)計的電路無法和其他電路對接。3.元件在二維、三維空間上有無沖突。注意器件的實際尺寸，特別是器件的高度。在焊接免布局的元器件，高度一般不能超過3mm。4.元件布局是否疏密有序、排列整齊，是否全部布完。在元器件布局的時候，不僅要考慮信號的走向和信號的類型、需要注意或者保護(hù)的地方，同時也要考慮器件布局的整體密度，做到疏密均勻。5.需經(jīng)常更換的元件能否方便地更換，插件板插入設(shè)備是否方便。應(yīng)保證經(jīng)常更換的元器件的更換和接插的方便和可靠。6.調(diào)整可調(diào)元件是否方便。7.熱敏元件與發(fā)熱元件之間是否有適當(dāng)?shù)木嚯x。8.在需要散熱的地方是否裝有散熱器或者風(fēng)扇，空氣流是否通暢。應(yīng)注意元器件和電路板的散熱。9.信號走向是否順暢且互連最短。10.插頭、插座等與機(jī)械設(shè)計是否矛盾。11.線路的干擾問題是否有所考慮。12.電路板的機(jī)械強(qiáng)度和性能是否有所考慮。13.電路板布局的藝術(shù)性及其美觀性。

隨著PCB設(shè)計復(fù)雜度的逐步提高，對于信號完整性的分析除了反射，串?dāng)_以及EMI之外，穩(wěn)定可靠的電源供應(yīng)也成為設(shè)計者們重點研究的方向之一。尤其當(dāng)開關(guān)器件數(shù)目不斷增加，核心電壓不斷減小的時候，電源的波動往往會給系統(tǒng)帶來致命的影響，于是人們提出了新的名詞：電源完整性，簡稱PI(powerintegrity)。當(dāng)今國際市場上，IC設(shè)計比較發(fā)達(dá)，但電源完整性設(shè)計還是一個薄弱的環(huán)節(jié)。因此本文提出了PCB板中電源完整性問題的產(chǎn)生，分析了影響電源完整性的因素并提出了解決PCB板中電源完整性問題的優(yōu)化方法與經(jīng)驗設(shè)計，具有較強(qiáng)的理論分析與實際工程應(yīng)用價值。二、電源噪聲的起因及分析對于電源噪聲的起因我們通過一個與非門電路圖進(jìn)行分析。圖1中的電路圖為一個三輸入與非門的結(jié)構(gòu)圖，因為與非門屬于數(shù)字器件，它是通過“1”和“0”電平的切換來工作的。隨著IC技術(shù)的不斷提高，數(shù)字器件的切換速度也越來越快，這就引進(jìn)了更多的高頻分量，同時回路中的電感在高頻下就很容易引起電源波動。如在圖1中，當(dāng)與非門輸入全為高電平時，電路中的三極管導(dǎo)通，電路瞬間短路，電源向電容充電，同時流入地線。此時由于電源線和地線上存在寄生電感，我們由公式V=LdI/dt可知，這將在電源線和地線上產(chǎn)生電壓波動，如圖2中所示的電平上升沿所引入的ΔI噪聲。當(dāng)與非門輸入為低電平時，此時電容放電，將在地線上產(chǎn)生較大的ΔI噪聲;而電源此時只有電路的瞬間短路所引起的電流突變，由于不存在向電容充電而使電流突變相對于上升沿來說要小。從對與非門的電路進(jìn)行分析我們知道，造成電源不穩(wěn)定的根源主要在于兩個方面：一是器件高速開關(guān)狀態(tài)下，瞬態(tài)的交變電流過大;