吉林專業(yè)貼片SMT在PCB(印制電路板)中，印制導(dǎo)線用來實(shí)現(xiàn)電路元件和器件之間電氣連接，是PCB中的重要組件，貼片SMT加工廠PCB導(dǎo)線多為銅線，銅自身的物理特性也導(dǎo)致其在導(dǎo)電過程中必然存在一定的阻抗，導(dǎo)線中的電感成分會影響電壓信號的傳輸，而電阻成分則會影響電流信號的傳輸，在高頻線路中電感的影響尤為嚴(yán)重，因此，在PCB設(shè)計(jì)中必須注意和消除印制導(dǎo)線阻抗所帶來的影響。1印制導(dǎo)線產(chǎn)生干擾的原因PCB上的印制導(dǎo)線通電后在直流或交流狀態(tài)下分別對電流呈現(xiàn)電阻或感抗，而平行導(dǎo)線之間存在電感效應(yīng)，電阻效應(yīng)，電導(dǎo)效應(yīng)，互感效應(yīng);一根導(dǎo)線上的變化電流必然影響另一根導(dǎo)線，從而產(chǎn)生干擾;PCB板外連接導(dǎo)線甚至元器件引線都可能成為發(fā)射或接收干擾信號的天線。印制導(dǎo)線的直流電阻和交流阻抗可以通過公式和公式來計(jì)算，R=PL/S和XL=2πfL式中L為印制導(dǎo)線長度(m)，s為導(dǎo)線截面積(mm2)，ρ為銅的電阻率，TT為常數(shù)，f為交流頻率。正是由于這些阻抗的存在，從而產(chǎn)生一定的電位差，這些電位差的存在，必然會帶來干擾，從而影響電路的正常工作。2 PCB電流與導(dǎo)線寬度的關(guān)系PCB導(dǎo)線寬度與電路電流承載值有關(guān)，一般導(dǎo)線越寬，承載電流的能力越強(qiáng)。在實(shí)際的PCB制作過程中，導(dǎo)線寬度應(yīng)以能滿足電氣性能要求而又便于生產(chǎn)為宜，它的最小值以承受的電流大小而定，導(dǎo)線寬度和間距可取0.3mm(12mil)。導(dǎo)線的寬度在大電流的情況下還要考慮其溫升問題。PCB設(shè)計(jì)銅鉑厚度、線寬

1.開料目的：根據(jù)工程資料MI的要求，在符合要求的大張板材上，裁切成小塊生產(chǎn)板件.符合客戶要求的小塊板料.流程：大板料→按MI要求切板→鋦板→啤圓角磨邊→出板鉆孔目的：根據(jù)工程資料，在所開符合要求尺寸的板料上，相應(yīng)的位置鉆出所求的孔徑.流程：疊板銷釘→上板→鉆孔→下板→檢查修理沉銅目的：沉銅是利用化學(xué)方法在絕緣孔壁上沉積上一層薄銅.流程：粗磨→掛板→沉銅自動線→下板→浸%稀H2SO4→加厚銅圖形轉(zhuǎn)移目的：圖形轉(zhuǎn)移是生產(chǎn)菲林上的圖像轉(zhuǎn)移到板上。流程：(藍(lán)油流程)：磨板→印第Y面→烘干→印第二面→烘干→爆光→沖影→檢查;(干膜流程)：麻板→壓膜→靜置→對位→曝光→靜置→沖影→檢查圖形電鍍目的：圖形電鍍是在線路圖形裸露的銅皮上或孔壁上電鍍一層達(dá)到要求厚度的銅層與要求厚度的金鎳或錫層。流程：上板→除油→水洗二次→微蝕→水洗→酸洗→鍍銅→水洗→浸酸→鍍錫→水洗→下板退膜目的：用NaOH溶液退去抗電鍍覆蓋膜層使非線路銅層裸露出來。流程：水膜：插架→浸堿→沖洗→擦洗→過機(jī);干膜：放板→過機(jī)蝕刻目的：蝕刻是利用化學(xué)反應(yīng)法將非線路部位的銅層腐蝕去。綠油目的：綠油是將綠油菲林的圖形轉(zhuǎn)移到板上，起到保護(hù)線路和阻止焊接零件時(shí)線路上錫的作用。流程：磨板→印感光綠油→鋦板→曝光→沖影;磨板→印第Y面→烘板→印第二面→烘板字符目的：字符是提供的一種便于辯認(rèn)的標(biāo)記。流程：綠油終鋦后→冷卻靜置→調(diào)網(wǎng)→印字符→后鋦鍍金手指目的：在插頭手指上鍍上一層要求厚度的鎳金層，使之更具有硬度的耐磨性。流程：上板→除油→水洗兩次→微蝕→水洗兩次→酸洗→鍍銅→水洗→鍍鎳→水洗→鍍金鍍錫板 (并列的一種工藝)目的：噴錫是在未覆蓋阻焊油的裸露銅面上噴上一層鉛錫，以保護(hù)銅面不蝕氧化，以保證具有良好的焊接性能.流程：微蝕→風(fēng)干→預(yù)熱→松香涂覆→焊錫涂覆→熱風(fēng)平整→風(fēng)冷→洗滌風(fēng)干成型目的：通過模具沖壓或數(shù)控鑼機(jī)鑼出客戶所需要的形狀成型的方法有機(jī)鑼，啤板，手鑼，手切說明：數(shù)據(jù)鑼機(jī)板與啤板的精確度較高，手鑼其次，手切板最低具只能做一些簡單的外形.測試目的：通過電子00%測試，檢測目視不易發(fā)現(xiàn)到的開路，短路等影響功能性之缺陷.流程：上?！虐濉鷾y試→合格→FQC目檢→不合格→修理→返測試→OK→REJ→報(bào)廢終檢目的：通過00%目檢板件外觀缺陷，并對輕微缺陷進(jìn)行修理，避免有問題及缺陷板件流出.具體工作流程：來料→查看資料→目檢→合格→FQA抽查→合格→包裝→不合格→處理→檢查OKa

相信對做硬件的工程師，畢業(yè)開始進(jìn)公司時(shí)，在設(shè)計(jì)PCB時(shí)，老工程師都會對他說，PCB走線不要走直角，走線一定要短，電容一定要就近擺放等等。但是一開始我們可能都不了解為什么這樣做，就憑他們的幾句經(jīng)驗(yàn)對我們來說是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的哦，當(dāng)然如果你沒有注意這些細(xì)節(jié)問題，今后又犯了，可能又會被他們罵，“都說了多少遍了電容一定要就近擺放，放遠(yuǎn)了起不到效果等等”，往往經(jīng)驗(yàn)告訴我們其實(shí)那些老工程師也是只有一部分人才真正掌握其中的奧妙，我們一開始不會也不用難過，多看看資料很快就能掌握的。直到被罵好幾次后我們回去找相關(guān)資料，為什么設(shè)計(jì)PCB電容要就近擺放呢，等看了資料后就能了解一些，可是網(wǎng)上的資料很雜散，很少能找到一個(gè)很全方面講解的。下面這些內(nèi)容是我轉(zhuǎn)載的一篇關(guān)于電容去耦半徑的講解，相信你看了之后可以很牛x的回答和避免類似問題的發(fā)生。老師問： 為什么去耦電容就近擺放呢?學(xué)生答： 因?yàn)樗杏行О霃脚叮诺倪h(yuǎn)了失效的。電容去耦的一個(gè)重要問題是電容的去耦半徑。大多數(shù)資料中都會提到電容擺放要盡量靠近芯片，多數(shù)資料都是從減小回路電感的角度來談這個(gè)擺放距離問題。確實(shí)，減小電感是一個(gè)重要原因，但是還有一個(gè)重要的原因大多數(shù)資料都沒有提及，那就是電容去耦半徑問題。如果電容擺放離芯片過遠(yuǎn)，超出了它的去耦半徑，電容將失去它的去耦的作用。理解去耦半徑最好的辦法就是考察噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位關(guān)系。當(dāng)芯片對電流的需求發(fā)生變化時(shí)，會在電源平面的一個(gè)很小的局部區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電壓擾動，電容要補(bǔ)償這一電流(或電壓)，就必須先感知到這個(gè)電壓擾動。信號在介質(zhì)中傳播需要一定的時(shí)間，因此從發(fā)生局部電壓擾動到電容感知到這一擾動之間有一個(gè)時(shí)間延遲。同樣，電容的補(bǔ)償電流到達(dá)擾動區(qū)也需要一個(gè)延遲。因此必然造成噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位上的不一致。

隨著PCB設(shè)計(jì)復(fù)雜度的逐步提高，對于信號完整性的分析除了反射，串?dāng)_以及EMI之外，穩(wěn)定可靠的電源供應(yīng)也成為設(shè)計(jì)者們重點(diǎn)研究的方向之一。尤其當(dāng)開關(guān)器件數(shù)目不斷增加，核心電壓不斷減小的時(shí)候，電源的波動往往會給系統(tǒng)帶來致命的影響，于是人們提出了新的名詞：電源完整性，簡稱PI(powerintegrity)。當(dāng)今國際市場上，IC設(shè)計(jì)比較發(fā)達(dá)，但電源完整性設(shè)計(jì)還是一個(gè)薄弱的環(huán)節(jié)。因此本文提出了PCB板中電源完整性問題的產(chǎn)生，分析了影響電源完整性的因素并提出了解決PCB板中電源完整性問題的優(yōu)化方法與經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)，具有較強(qiáng)的理論分析與實(shí)際工程應(yīng)用價(jià)值。二、電源噪聲的起因及分析對于電源噪聲的起因我們通過一個(gè)與非門電路圖進(jìn)行分析。圖1中的電路圖為一個(gè)三輸入與非門的結(jié)構(gòu)圖，因?yàn)榕c非門屬于數(shù)字器件，它是通過“1”和“0”電平的切換來工作的。隨著IC技術(shù)的不斷提高，數(shù)字器件的切換速度也越來越快，這就引進(jìn)了更多的高頻分量，同時(shí)回路中的電感在高頻下就很容易引起電源波動。如在圖1中，當(dāng)與非門輸入全為高電平時(shí)，電路中的三極管導(dǎo)通，電路瞬間短路，電源向電容充電，同時(shí)流入地線。此時(shí)由于電源線和地線上存在寄生電感，我們由公式V=LdI/dt可知，這將在電源線和地線上產(chǎn)生電壓波動，如圖2中所示的電平上升沿所引入的ΔI噪聲。當(dāng)與非門輸入為低電平時(shí)，此時(shí)電容放電，將在地線上產(chǎn)生較大的ΔI噪聲;而電源此時(shí)只有電路的瞬間短路所引起的電流突變，由于不存在向電容充電而使電流突變相對于上升沿來說要小。從對與非門的電路進(jìn)行分析我們知道，造成電源不穩(wěn)定的根源主要在于兩個(gè)方面：一是器件高速開關(guān)狀態(tài)下，瞬態(tài)的交變電流過大;